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HF220-50

更新时间： 2024-11-11 22:33:23

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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HF220-50 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	12 A
基于收集器的最大容量：	390 pF	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	320 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HF220-50 数据手册

HF220-50

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The HF220-50 is Designed for

High Linearity Class AB HF Power

Amplifier Applications up to 30 MHz.

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

· P_G= 14 dB Typical at 220 W/30 MHz

· IMD₃= -32 dBc Typ. at 220 W(PEP)

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

12 A

110 V

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches / mm

.220 / 5.59

.230 / 5.84

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.255 / 6.48

55 V

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

4.0 V

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

320 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.7 ^OC/W

.980 / 24.89

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10614

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 20 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 55 V

V_CE= 6 V

110

4.0

---

I_CES

h_FE

I_C= 10 A

C_ob

V_CB= 50 V

f = 1.0 MHz

330

-32

G_P

-30

V_CE= 50 V

I_CQ=150 mA

P_OUT= 220 W(PEP)

IMD₃

h _C

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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