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HF20D060ACE

更新时间： 2024-11-09 19:58:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		功效二极管
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, Silicon, 125 MM, WAFER

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HF20D060ACE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.75
应用：	EFFICIENCY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XUUC-N	元件数量：	1
相数：	1	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

HF20D060ACE 数据手册

PD - 94378

HF20D060ACE

Hexfred Die in Wafer Form

600V

Features

• GEN3 Hexfred Technology

_F(nom)=20A

• Low V_F

• Low I_RR

• Low t_RR

_F(typ)= 1.2V @ I_F(nom)@ 25°C

• Soft Reverse Recovery

Motor Control Antiparallel Diode

125mm Wafer

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

• Rugged Transient Performance

• Low EMI

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Qualified for Industrial Market

Electrical Characteristics (Wafer Form)

Parameter

Description

Guaranteed (min, max)

Test Conditions

V_F

Forward Voltage Drop

0.85V min, 1.15V max I_C= 4A, T_J= 25°C

BV_R

I_RM

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

600V min

20µA max

T_J= 25°C, I_R= 1mA

T_J= 25°C, V_R= 600V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, (Thickness)

Nominal Front Metal Composition, (Thickness)

Dimensions

Cr- Ni - Ag, (1kA - 4kA - 6kA)

99% Al/1% Si, (3µm)

0.085'' x 0.165"

Wafer Diameter

125mm, with std. < 100 > flat

381µm, +/-15µm

Wafer Thickness, Tolerance

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01-5510

100µm

Reject Ink Dot Size

0.25mm diameter minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300°C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Recommended Die Attach Conditions

Die Outline

www.irf.com

04/19/02

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