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HF125-28

更新时间： 2024-11-10 22:33:23

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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HF125-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	20 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HF125-28 数据手册

HF125-28

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI HF125-28 is Designed for

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

· P_G= 15 dB min. at 100 W/30 MHz

· IMD₃= -30 dBc max. at 100 W(PEP)

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

20 A

65 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.255 / 6.48

36 V

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

4.0 V

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

270 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.65 ^OC/W

T_STG

q_JC

.980 / 24.89

ORDER CODE: ASI10608

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 5.0 V

4.0

---

h_FE

I_C= 5.0 A

---

200

C_ob

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

250

---

G_P

V_CE= 28 V

P_IN= 3.95 W

I_CQ= 100 mA

f = 30 MHz

IMD₃

-34

-30

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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