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HER602G-B PDF预览

HER602G-B

更新时间： 2024-11-11 14:42:31
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 功效瞄准线测试二极管
页数 文件大小 规格书
7页 93K
描述
Rectifier Diode,

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HER602G-B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
反向测试电压：100 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER602G-B 数据手册

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HER601G  
THRU  
HER608G  
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 6.0 Amperes  
FEATURES  
* Low power loss,high efficiency  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High speed switching  
* High reliability  
R-6  
* High current surge  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Case: Molded plastic  
.052 (1.3)  
DIA.  
.048 (1.2)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
.360 (9.1)  
.340 (8.6)  
.360 (9.1)  
DIA.  
.340 (8.6)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
resistive or inductive load.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SYMBOL HER601G HER602G HER603G HER604G HER605G HER606G  
HER607G HER608G UNITS  
RATINGS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
IO  
6.0  
Amps  
Amps  
A2S  
O
at T = 50 C  
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
I2T  
200  
Typical Current Squared Time  
166  
10  
0C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
R
J A  
CJ  
100  
65  
pF  
0 C  
0 C  
-65 to + 150  
-65 to + 150  
TJ  
Storage Temperature Range  
TSTG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL HER601G  
HER607G HER608G UNITS  
HER602G HER603G HER604G HER605G HER606G  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 6.0A DC  
1.0  
1.25  
1.70  
Volts  
VF  
IR  
@TA = 25oC  
Maximum Average Reverse Current  
10  
10  
A
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 150oC  
mA  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 4)  
50  
70  
nSec  
trr  
NOTES : 1. Thermal Resistance : At 9.5mm lead length,PCB mounted.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
3. “ ROHS compliant”.  
2019-04/25  
REV:C  
4. Test Conditions: I = 0.5A, I = -1.0A, I = -0.25A.  
RR  
5. Available in HaloFgen-free Repoxy by adding suffix -HF after the part nbr.  
.
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER602G-HF-F RECTRON

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 		Rectifier Diode,
HER602G-HF-T RECTRON

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HER602GP MCC

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 		6.0 Amp Glass Passivated High Efficient Rectifiers 50 to 1000 Volts
HER602GP-AP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon,
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HER602GPT CHENMKO

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 		HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
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