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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> HER501GP-BP-HF
HER501GP-BP-HF PDF预览

HER501GP-BP-HF

更新时间： 2024-11-11 13:02:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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HER501GP-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

HER501GP-BP-HF 数据手册

 浏览型号HER501GP-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
HER501  
THRU  
HER508  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
High Surge Current Capability  
High Reliability  
5.0 Amp High  
Efficient Rectifiers  
50 to 1000 Volts  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
Maximum Ratings  
·
·
·
Operating Temperature: -65°C to +125°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
For capacitive load, derate current by 20%  
DO-201AD  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
HER501  
HER502  
HER503  
HER504  
HER505  
HER506  
HER507  
HER508  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
35V  
70V  
D
100V  
200V  
300V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
100V  
140V  
210V  
280V  
420V  
560V  
700V  
200V  
300V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
A
Cathode  
Mark  
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
D
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
5 A  
TA = 55°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
200A  
8.3ms, half sine  
C
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
HER501-504  
VF  
IR  
1.0V  
1.3V  
1.7V  
IFM = 5.0A;  
TA = 25°C  
HER505  
HER506-508  
DIMENSIONS  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage (Maximum DC)  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
HER501-505  
HER506-508  
Typical Junction  
Capacitance  
10mA  
200mA TA = 100°C  
TA = 25°C  
INCHES  
MIN  
---  
---  
.048  
1.000  
MM  
MIN  
---  
---  
1.20  
25.40  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.370  
.250  
.052  
---  
MAX  
9.50  
6.40  
1.30  
---  
NOTE  
Trr  
CJ  
50ns  
75ns  
IF=0.5A, IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
HER501-505  
HER506-508  
100pF Measured at  
65pF 1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%  
www.mccsemi.com  
12

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与HER501GP-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER501GPT CHENMKO

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 		HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
HER501GP-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501GR SECOS

获取价格

 		Voltage 50 ~ 1000 V 5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
HER501H31 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H31-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H32 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H32-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H33 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H36 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER501H36-2 RECTRON

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