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HER307GB-G

更新时间： 2024-01-27 14:47:14

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上华 - COMCHIP		整流二极管高效整流二极管
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High Efficiency Rectifiers

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HER307GB-G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.28
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER307GB-G 数据手册

High Efficiency Rectifiers

Taping Specification For Axial Lead Diodes

90° ± 5°

SYMBOL

(mm)

1.20 (max)

1.00 (max)

DO-27

10.00 ± 0.50

52.00 ± 0.50

6.00 ± 0.40

0.047 (max)

0.039 (max)

(inch)

0.394 ± 0.020 2.047 ± 0.020

0.236 ± 0.016

SYMBOL

(mm)

85.70 ± 0.30

16.60 ± 0.40

330.00

72.00 ± 3.00

260.00

75.00

145.00

(inch)

3.374 ± 0.012

0.654 ± 0.016

13.000

2.835 ± 0.118

10.236

2.953

5.709

REV:A

Page 3

QW-BU012

Comchip Technology CO., LTD.

1 234

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与HER307GB-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HER307G-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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HER307GT-G	COMCHIP	获取价格	High Efficiency Rectifiers
HER307G-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
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HER307H32	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER307H35	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,