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HER307GB-G

更新时间： 2024-01-08 15:33:43

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上华 - COMCHIP		整流二极管高效整流二极管
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High Efficiency Rectifiers

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HER307GB-G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.28
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER307GB-G 数据手册

High Efficiency Rectifiers

Rating and Characteristic Curves (HER301G-G Thru. HER308G-G)

Fig.1 - Forward Current Derating Curve

Fig.2 - Typical Forward Characteristics

100

3.0

HER305G-G

Single phase half wave

HER301G-G to HER304G-G

Resistive or inductive load

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

1.0

0.1

HER306G-G to HER308G-G

TJ = 25°C

Pulse width = 300us

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

1.4 1.6 1.8

150

175

100

125

Ambient Temperature, (°C)

Instantaneous Forward Voltage, (V)

Fig.3 - Peak Forward Surge Current

Fig.4 - Typical Junction Capacitance

180

150

120

100

Pulse width 8.3 ms

single half-sine-wave

HER301G-G to HER305G-G

HER306G-G to HER308G-G

TJ = 25°C , f = 1MHz

100

Number of Cycles at 60Hz

Reverse Voltage, (V)

REV:A

Page 2

QW-BU012

Comchip Technology CO., LTD.

123 4

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与HER307GB-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HER307G-BP-HF	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
HER307G-K	TSC	3A, 50V - 1000V Glass Passivated High Efficient Rectifier	获取价格
HER307GPT	CHENMKO	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER	获取价格
HER307GR	SECOS	Voltage 50 ~ 1000 V 3Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers	获取价格
HER307G-T	MCC	Rectifier Diode	获取价格
HER307GT-G	COMCHIP	High Efficiency Rectifiers	获取价格