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HER201GT-G

更新时间： 2024-11-09 07:18:03
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管高效整流二极管
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4页 85K
描述
High Efficiency Rectifiers

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HER201GT-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER201GT-G 数据手册

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High Efficiency Rectifiers  
HER201G-G Thru. HER208G-G  
Voltage: 50 to 1000 V  
Current: 2.0 A  
RoHS Device  
DO-15  
Features  
-Glass passivated chip.  
-Low forward voltage.  
-High reliability.  
1.000(25.40) Min.  
-High surge current capability.  
-High speed switching.  
0.300(7.63)  
0.230(5.85)  
Mechanical data  
0.142(3.61) DIA.  
0.102(2.60) DIA.  
-Case: JEDEC DO-15 molded plastic.  
-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.  
-Polarity: Color band denotes cathode end.  
-Lead: Solderable per MIL-STD-202,  
method 208 guaranteed.  
1.000(25.40) Min.  
0.033(0.84) DIA.  
0.028(0.71) DIA.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Mounting position: Any  
-Weight: 0.402 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
HER  
Symbol  
Parameter  
Unit  
201G-G 202G-G 203G-G 204G-G 205G-G 206G-G 207G-G 208G-G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
@IT = 5μA  
V
RRM  
RMS  
50  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
V
Maximum RMS voltage  
V
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
V
DC  
100  
1000  
I(AV)  
2.0  
5.0  
A
V
@T =25°C  
A
Maximum instantaneous forward  
voltage at specified current  
V
F
1.0  
1.3  
1.7  
μA  
ns  
°C  
°C  
Maximum DC reverse current  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
I
R
t
rr  
50  
75  
T
J
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
T
STG  
NOTES:  
1. Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A(RGI circuit)  
REV:A  
Page 1  
QW-BU011  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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与HER201GT-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER201GU DYELEC

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 		High surge current capability
HER201H11 RECTRON

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HER201-LFR FRONTIER

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 		2A ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
HER201M11 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,

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