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HER107SGP0G

更新时间： 2024-10-30 01:18:07
品牌 Logo 应用领域
TSC 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 385K
描述
1A, 50V - 1000V Glass Passivated High Efficient Rectifiers

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HER107SGP0G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

HER107SGP0G 数据手册

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HER101SG - HER108SG  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
1A, 50V - 1000V Glass Passivated High Efficient Rectifiers  
FEATURES  
- High efficiency, low VF  
- High current capability  
- High reliability  
- High surge current capability  
- Low power loss  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
Case: A-405  
A-405  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)  
Terminal: Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
Weight: 0.2g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)  
HER HER HER HER HER HER HER HER  
PARAMETER  
SYMBOL 101  
SG  
102  
SG  
100  
70  
103  
SG  
200  
140  
200  
104  
SG  
300  
210  
300  
105  
SG  
400  
280  
400  
106  
SG  
600  
420  
600  
107  
SG  
800  
560  
800  
108  
SG  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
1000  
V
V
V
A
700  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
1
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
VF  
IR  
30  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
@ 1 A  
1.0  
1.3  
1.7  
5
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 °C  
TJ=125 °C  
μA  
150  
Maximum reverse recovery time (Note 2)  
Typical junction capacitance (Note 3)  
Typical thermal resistance  
trr  
CJ  
50  
20  
75  
15  
ns  
pF  
RθJA  
TJ  
90  
°C/W  
°C  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
TSTG  
°C  
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
Document Number: DS_D1407038  
Version: F15  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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