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HEF4505BD

更新时间: 2024-11-29 00:01:03
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恩智浦 - NXP 存储
页数 文件大小 规格书
9页 101K
描述
64-bit, 1-bit per word random access read/write memory

HEF4505BD 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:14
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:660 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T14
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:14
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64X1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:3 V
最大供电电压 (Vsup):15 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm

HEF4505BD 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
For a complete data sheet, please also download:  
The IC04 LOCMOS HE4000B Logic  
Family Specifications HEF, HEC  
The IC04 LOCMOS HE4000B Logic  
Package Outlines/Information HEF, HEC  
HEF4505B  
LSI  
64-bit, 1-bit per word random  
access read/write memory  
January 1995  
Product specification  
File under Integrated Circuits, IC04  

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