HEF4073BPB

更新时间： 2024-01-13 12:01:01

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HEF4073BPB 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

HEF4073B

gates

Triple 3-input AND gate

AC CHARACTERISTICS

V_SS= 0 V; T_amb= 25 °C; C_L= 50 pF; input transition times ≤ 20 ns

V_DD

TYPICAL EXTRAPOLATION

FORMULA

SYMBOL

TYP.

MAX.

Propagation delays

I_n→ O_n

HIGH to LOW

110

23 ns

14 ns

12 ns

13 ns

9 ns

(0,55 ns/pF) C_L

(0,23 ns/pF) C_L

(0,16 ns/pF) C_L

(0,55 ns/pF) C_L

(0,23 ns/pF) C_L

(0,16 ns/pF) C_L

(1,0 ns/pF) C_L

(0,42 ns/pF) C_L

(0,28 ns/pF) C_L

(1,0 ns/pF) C_L

(0,42 ns/pF) C_L

(0,28 ns/pF) C_L

t_PHL

LOW to HIGH

t_PLH

t_THL

t_TLH

7 ns

Output transition times

HIGH to LOW

120

10 ns

9 ns

6 ns

120

10 ns

9 ns

LOW to HIGH

6 ns

V_DD

TYPICAL FORMULA FOR P (µW)

Dynamic power

dissipation per

package (P)

600 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

where

2700 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

f_i= input freq. (MHz)

8400 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

f_o= output freq. (MHz)

C_L= load capacitance (pF)

∑ (f_oC_L) = sum of outputs

V_DD= supply voltage (V)

January 1995

1 23

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