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HDZMV4Z015.1B

更新时间: 2024-11-04 21:12:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 169K
描述
Zener Diode, 5.09V V(Z), 2.16%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, UMD, 2 PIN

HDZMV4Z015.1B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.8
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:5.1 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2.16%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

HDZMV4Z015.1B 数据手册

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PRODUCTS  
DIODE  
TYPE  
PAGE  
1/2  
HDZMV4Z01 5.1B  
1.PRODUCT  
2.TYPE  
ZENER DIODE  
HDZMV4Z01 5.1B  
Voltage Regulation  
3.APPLICATION  
4.FEATURE  
Small mold type (UMD2)  
High reliability  
By chip-mounter, automatic mounting is possible.  
5.ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25)  
Power dissipation  
P() ・・・・・ 500 mW  
Tj ・・・・・ 150 C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Operation temperature  
Tstg ・・・・・-55150 C  
Topr ・・・・・-55150 C  
()Mounting on FR-5 board(3.51.5[inches])  
6.ELECTRICAL CHARACTERISTIC (Ta=25C)  
Test  
Condition  
Iz=  
Standard  
MIN. MAX.  
5 mA 4.980 V 5.200 V  
Characteristic  
Symbol  
Zener voltage  
Dynamic impedance  
Dynamic Knee impedance  
Reverse current  
Vz  
Zz  
Zzk  
IR  
Iz=  
5 mA  
Iz= 0.5 mA  
-
-
-
80  
500  
VR=  
1.5 V  
2 A  
(1) Zener voltage(Vz) shall be measured at 40ms after loading current.  
(2) Dynamic resistance(Zz,Zzk) shall be measured by appliying very small AC current and specified  
current(Iz) simultaneously.  
7.DIMENSION (UNIT:mm)  
0.3±0.05  
0.1  
0.05  
0.1±  
CATHODE MARK  
1.25±0.1  
0.2  
0.7±0.1  

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