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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | CMFPAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.069 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAT2205C | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2205C_15 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2205C-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2206C | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2206C-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2207C | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2207C-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2208R | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2208R-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2210R | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching |
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