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HAT2221C-EL-E

更新时间: 2024-11-25 03:41:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 82K
描述
Silicon N Channel MOS FET Power Switching

HAT2221C-EL-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:CMFPAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A最大漏极电流 (ID):1.5 A
最大漏源导通电阻:0.235 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):790 W最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

HAT2221C-EL-E 数据手册

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HAT2221C  
Silicon N Channel MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1240-0400  
Rev.4.00  
Feb 28, 2006  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 120 mtyp. (at VGS = 10 V)  
Low drive current.  
High density mounting  
4.5 V gate drive devices.  
Outline  
RENESAS Package code: PWSF0006JA-A  
(Package name: CMFPAK-6)  
2 3 4 5  
D D D D  
Indexband  
4
1. Source  
5
6
2. Drain  
3. Drain  
4. Drain  
5. Drain  
6. Gate  
6
G
3
2
1
S
1
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
Ratings  
Unit  
V
30  
+20 / –10  
1.5  
VGSS  
V
ID  
A
Drain peak current  
ID (pulse)Note1  
6
A
Body - Drain diode reverse drain current  
Channel dissipation  
IDR  
1.5  
A
PchNote 2  
Tch  
790  
W
°C  
°C  
Channel temperature  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%  
2. When using the glass epoxy board. (FR4 40 × 40 × 1.6 mm)  
Rev.4.00 Feb 28, 2006 page 1 of 6  

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