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HAT1016R-EL-E

更新时间： 2024-02-25 23:17:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	97K
描述
Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching

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HAT1016R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOP
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT1016R-EL-E 数据手册

HAT1016R

Package Dimensions

JEITA Package Code

RENESAS Code

PRSP0008DD-D

Package Name

FP-8DAV

MASS[Typ.]

0.085g

P-SOP8-3.95 × 4.9-1.27

b_p

Index mark

NOTE)

1. DIMENSIONS "*1(Nom)" AND "*2"

Terminal cross section

(Ni/Pd/Au plating)

DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.

2. DIMENSION "*3" DOES NOT

INCLUDE TRIM OFFSET.

b_p

Dimension in Millimeters

Reference

Symbol

Min

Nom

4.90

3.95

Max

5.3

L₁

A₂

A₁

0.10

0.14

0.40

0.20

0.25

1.75

0.46

b_p

b₁

0.34

0.15

0.25

c₁

8°

H_E

5.80

6.10

1.27

6.20

Detail F

0.25

0.1

0.75

1.27

0.40

0.60

1.08

L₁

Ordering Information

Part Name

Quantity

Shipping Container

HAT1016R-EL-E

2500 pcs

Taping

Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of

production before ordering the product.

Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 7 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HAT1020REL	RENESAS	暂无描述	获取价格
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