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HAT1016R-EL-E

更新时间： 2024-01-29 17:32:48

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
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8页	97K
描述
Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching

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HAT1016R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOP
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT1016R-EL-E 数据手册

HAT1016R

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

–30

±20

–4.5

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–36

Body-drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Pch ^{Note 3}

Tch

–4.5

°C

Channel dissipation

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. 1 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

3. 2 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

–30

±20

—

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

V_DS= –30 V, V_GS= 0

V_DS= –10 V, I_D= –1 mA

I_D= –3 A, V_GS= –10 V ^{Note 4}

I_D= –3 A, V_GS= –4 V ^{Note 4}

I_D= –3 A, V_DS= –10 V ^{Note 4}

V_DS= –10 V

—

±10

–10

–2.5

0.09

0.18

—

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–1.0

—

0.07

0.11

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

Ciss

—

660

440

140

—

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

V_GS= –4 V, I_D= –3 A,

V_DD–10 V

Rise time

—

165

—

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body-drain diode forward voltage

Body-drain diode reverse recovery time

V_DF

—

–0.9

–1.4

—

I_F= –4.5 A, V_GS= 0 ^{Note 4}

I_F= –4.5 A, V_GS= 0

di_F/dt = 20 A/µs

t_rr

—

Note: 4. Pulse test

Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 2 of 7

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HAT1020R	RENESAS	Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1020REL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.13ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi	获取价格
HAT1020REL	RENESAS	暂无描述	获取价格
HAT1020R-EL-E	RENESAS	Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching	获取价格

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