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H5TQ1G63EFR-H9I

更新时间： 2024-01-17 13:33:45

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	644K
描述
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

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H5TQ1G63EFR-H9I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	96	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.8	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

1Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ1G83EFR-xxC

H5TQ1G83EFR-xxI

H5TQ1G83EFR-xxL

H5TQ1G83EFR-xxJ

H5TQ1G63EFR-xxC

H5TQ1G63EFR-xxI

H5TQ1G63EFR-xxL

H5TQ1G63EFR-xxJ

*SK hynix Inc. reserves the right to change products or specifications without notice

Rev. 1.3 /Nov. 2013

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5TQ1G63EFRH9J	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFRH9L	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFRPBC	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFRPBI	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFR-PBI	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ1G63EFRPBJ	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFRPBL	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFRRDC	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G63EFR-RDC	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
H5TQ1G63EFRRDI	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM