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H5TQ1G83BFR-H9C

更新时间: 2024-01-11 11:21:17
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 312K
描述
DDR DRAM, 128MX18, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE & ROHS COMPLIANT, FPBGA-78

H5TQ1G83BFR-H9C 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA78,9X13,32
针数:78Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.77访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):667 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B78
JESD-609代码:e1长度:11 mm
内存密度:2415919104 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:78
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA78,9X13,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4,8子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

H5TQ1G83BFR-H9C 数据手册

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1Gb DDR3 SDRAM  
1Gb DDR3 SDRAM  
Lead-Free&Halogen-Free  
(RoHS Compliant)  
H5TQ1G63BFR-xxC  
H5TQ1G63BFR-xxI  
H5TQ1G83BFR-xxC  
H5TQ1G83BFR-xxI  
*Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice  
Rev. 1.1 / Sep. 2010  
1

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