是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA78,9X13,32 |
针数: | 78 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.77 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 11 mm |
内存密度: | 2415919104 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 78 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA78,9X13,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H5TQ1G83DFR | HYNIX |
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1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFRG7C | HYNIX |
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1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFRG7I | HYNIX |
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1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFR-G7I | HYNIX |
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DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
H5TQ1G83DFRG7J | HYNIX |
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1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFR-G7J | HYNIX |
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DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
H5TQ1G83DFRG7L | HYNIX |
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1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFR-G7L | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | |
H5TQ1G83DFRH9C | HYNIX |
获取价格 |
1Gb DDR3 SDRAM | |
H5TQ1G83DFR-H9C | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 |