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H5DU1262GTR-E4

更新时间： 2024-10-02 07:02:35

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H5DU1262GTR-E4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.15 mm
Base Number Matches：	1

128Mb DDR SDRAM

H5DU1262GTR

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 / May 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5DU1262GTR-E4C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-E4I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
H5DU1262GTR-FA	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-FAC	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-FAI	HYNIX	获取价格	暂无描述
H5DU1262GTR-FB	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-FBC	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-FBI	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
H5DU1262GTR-J3	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-J3C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66