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H5DU1262GTR-FAC

更新时间： 2024-10-03 09:14:03

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H5DU1262GTR-FAC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

128Mb DDR SDRAM

H5DU1262GTR

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

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Rev. 1.0 / May 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5DU1262GTR-FAI	HYNIX	获取价格	暂无描述
H5DU1262GTR-FB	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-FBC	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-FBI	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
H5DU1262GTR-J3	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-J3C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-J3I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND
H5DU1262GTR-K2	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM
H5DU1262GTR-K2C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66
H5DU1262GTR-K3	HYNIX	获取价格	128Mb DDR SDRAM