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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 22.225 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.194 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.155 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5DU1262GTR-FA | HYNIX |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| H5DU1262GTR-FAC | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66 |
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| H5DU1262GTR-FAI | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 |
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| H5DU1262GTR-FB | HYNIX |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| H5DU1262GTR-FBC | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66 |
|
| H5DU1262GTR-FBI | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND |
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| H5DU1262GTR-J3 | HYNIX |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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| H5DU1262GTR-J3C | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66 |
|
| H5DU1262GTR-J3I | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND |
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| H5DU1262GTR-K2 | HYNIX |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
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