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H0700KC17F

更新时间： 2024-01-06 12:21:24

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
15页	319K
描述
Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1190V V(RRM), 1 Element

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H0700KC17F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	1500 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	700 A
断态重复峰值电压：	1700 V	重复峰值反向电压：	1190 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SYMMETRICAL GTO SCR	Base Number Matches：	1

H0700KC17F 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Fast Symmetrical Gate Turn-Off Thyristor type H0700KC17#

Curves

Figure 1 – Forward gate characteristics

Figure 2 - On-state characteristics of Limit device

1000

10000

H0700KC17#

Issue 1

For T_j= -40^oC to +125^oC

100

1000

T_j=125^oC

T_j=25^oC

Minimum

Maximum

100

0.5

1.5

Instantaneous forward gate voltage, V_FG(V)

Instantaneous on-state voltage, V_T(V)

Figure 3 - Maximum surge and I²t Ratings

100000

1.00E+06

1.00E+05

1.00E+04

H0700KC17#

I²t: V_RRM≤10V

Issue 1

T_j(initial) = 125°C

I²t: 60% V_RRM

10000

I_TSM: V_RRM≤10V

I_TSM: 60% V_RRM

1000

50 100

Duration of surge (ms)

Duration of surge (cycles @ 50Hz)

Data Sheet. Type H0700KC17# Issue 1

Page 10 of 15

April, 2004

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与H0700KC17F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
H0700KC17G	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1105V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17J	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 935V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17K	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 700 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR	获取价格
H0700KC17L	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 700 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR	获取价格
H0700KC17M	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 680V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17N	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 595V V(RRM), 1 Element	获取价格