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GZF30C-GS18

更新时间: 2024-11-12 19:34:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
Zener Diode, 30V V(Z), 0.8W,

GZF30C-GS18 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:15 ΩJESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大功率耗散:0.8 W
标称参考电压:30 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
工作测试电流:25 mABase Number Matches:1

GZF30C-GS18 数据手册

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GZF3V6C to GZF91C  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon Planar Power Zener Diodes.  
• Low profile surface-mount package.  
• Low leakage current  
e3  
• High temperature soldering:  
260 °C/10 sec. at terminals  
17249  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-219AB (SMF ) Plastic case  
®
Packaging codes/options:  
GS18 / 10 K per 13 " reel, (8 mm tape), 50 K/box  
GS08 / 3 K per 7 " reel, (8 mm tape), 30 K/box  
Weight: approx. 15 mg  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Ptot  
Value  
Unit  
mW  
Zener current (see Table  
"Characteristics")  
see  
page 2  
8001)  
Power dissipation  
TA = 25 °C  
1) Mounted on epoxy glass PCB with 3 x 3 mm, Cu pads (40 µm thick)  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
180  
Unit  
K/W  
Thermal resistance junction to  
ambient air1)  
Maximum junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature range  
TSTG  
- 55 to + 150  
1) Mounted on epoxy glass PCB with 3 x 3 mm, Cu pads (40 µm thick)  
Document Number 85769  
Rev. 1.7, 13-Apr-05  
www.vishay.com  
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Zener Diode, 33V V(Z), 0.8W,