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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 75497472 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8640FZ18T-6.5IVT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18T-6.5V | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18T-6.5VT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18T-7.5 | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18T-7.5IT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8640FZ18T-7.5IVT | GSI | ZBT SRAM, 4MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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