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GS8640FZ18GT-8I

更新时间： 2024-02-27 05:38:45
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 255K
描述
ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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GS8640FZ18GT-8I 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.61最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY.JESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：75497472 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.75 V最小供电电压 (Vsup)：2.25 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

GS8640FZ18GT-8I 数据手册

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GS8640FZ18/36T-5.5/6.5/7.5/8  
TQFP Pin Descriptions  
Symbol  
A0, A1  
A
Type  
In  
Description  
Burst Address Inputs; Preload the burst counter  
Address Inputs  
In  
CK  
In  
Clock Input Signal  
BA  
In  
Byte Write signal for data inputs DQA1-DQA9; active low  
Byte Write signal for data inputs DQB1-DQB9; active low  
Byte Write signal for data inputs DQC1-DQC9; active low  
Byte Write signal for data inputs DQD1-DQD9; active low  
Write Enable; active low  
BB  
In  
BC  
In  
BD  
In  
W
In  
E1  
In  
Chip Enable; active low  
E2  
In  
Chip Enable; Active High. For self decoded depth expansion  
Chip Enable; Active Low. For self decoded depth expansion  
Output Enable; active low  
E3  
In  
G
In  
ADV  
CKE  
DQA  
DQB  
DQC  
DQD  
ZZ  
In  
Advance/Load; Burst address counter control pin  
Clock Input Buffer Enable; active low  
Byte A Data Input and Output pins  
In  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
In  
Byte B Data Input and Output pins  
Byte C Data Input and Output pins  
Byte D Data Input and Output pins  
Power down control; active high  
LBO  
In  
Linear Burst Order; active low  
V
In  
Core power supply  
DD  
V
In  
In  
Ground  
Output driver power supply  
No Connect  
SS  
V
DDQ  
NC  
—
Rev: 1.01 10/2013  
4/21  
© 2006, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...21

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GS8640FZ18GT-8IT GSI ZBT SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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