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GS8321Z18AD-333V

更新时间： 2024-02-28 13:28:48
品牌 Logo 应用领域
GSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 465K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS8321Z18AD-333V 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.11
最长访问时间：5 ns其他特性：ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)：333 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e0
长度：15 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：165
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：1.7 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.265 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：13 mmBase Number Matches：1

GS8321Z18AD-333V 数据手册

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GS8321Z18/32/36AD-xxxV  
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package D)  
1
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A
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TDO  
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A
A
A
A
LBO  
A
A
TMS  
A
A
A
11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch  
Rev: 1.03 8/2013  
4/31  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...31

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与GS8321Z18AD-333V相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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