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GS8321Z18AD-333V

更新时间： 2024-02-21 02:17:10

品牌	Logo	应用领域
GSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	465K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS8321Z18AD-333V 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.265 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

GS8321Z18/32/36AD-xxxV

36Mb Sync SRAM Datasheet Revision History

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8321ZxxA_V_r1

• Updated Absolute Maximum Ratings

• Added thermal information

8321ZxxA_V_r1_01

8321ZxxA_V_r1_02

8321ZxxA_V_r1_03

Content

• Updated to reflect MP status

• Updated Op current numbers

• Updated tHZ, tOE, and tOHZ to 3.0 ns for 333 and 300 MHz

Rev: 1.03 8/2013

31/31

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

1...28 29 3031

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS8321Z18AD-333VT	GSI	ZBT SRAM, 2MX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	获取价格
GS8321Z18AD-375	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-375I	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-400	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AD-400I	GSI	165 BGA	获取价格
GS8321Z18AGD-150	GSI	165 BGA	获取价格