是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.64 |
最长访问时间: | 7.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 2.5V SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E36BGT-150V | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGT-150VT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
GS8161E36BGT-200 | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGT-200I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGT-200IT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
GS8161E36BGT-200IV | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGT-200IVT | GSI |
获取价格 |
暂无描述 | |
GS8161E36BGT-200V | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGT-200VT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
GS8161E36BGT-250 | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |