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GS81302R08E-333IT

更新时间： 2024-01-13 11:31:14
品牌 Logo 应用领域
GSI 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1343K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302R08E-333IT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.05
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165长度：17 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：DDR SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：165字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.5 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15 mm
Base Number Matches：1

GS81302R08E-333IT 数据手册

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GS81302R08/09/18/36E-375/350/333/300/250  
16M x 8 SigmaDDR-II SRAM—Top View  
1
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SA  
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LD  
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CQ  
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(288Mb)  
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C
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SA  
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NC  
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SA  
SA  
SA  
SA  
NC  
TCK  
C
TMS  
2
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. Unlike the x36 and x18 versions of this device, the x8 and x9 versions do not give the user access to A0 and A1. SA0 and SA1 are set to  
0 at the beginning of each access.  
2. NW0 controls writes to DQ0:DQ3; NW1 controls writes to DQ4:DQ7.  
3. B5 is the expansion address.  
Rev: 1.03b 12/2011  
5/35  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
12345678...35

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