是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ28,.34 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.21 | 最长访问时间: | 10 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.03 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS70328SJ-12 | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-12I | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-12IT | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-12T | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-15 | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-15I | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-15IT | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-15T | GSI |
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32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM | |
GS70328SJ-6 | GSI |
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Standard SRAM, 32KX8, 6ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
GS70328SJ-6I | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 6ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |