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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> GR1J-S
GR1J-S PDF预览

GR1J-S

更新时间： 2024-11-05 13:01:23
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMAJ, 2 PIN

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GR1J-S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.07配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.5 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

GR1J-S 数据手册

 浏览型号GR1J-S的Datasheet PDF文件第2页 
GR1A THRU GR1M  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING RECTIFIER  
Reverse Voltage -  
50 to 1000 Volts  
Forward Current -  
1.0 Ampere  
Features  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
For surface mounted applications in order to optimize  
board space  
Low profile package  
Built-in strain relief, ideal for automated placement  
Fast switching for high efficiency  
Glass passivated chip junction  
High temperature soldering:  
250 /10 seconds at terminals  
D
I M  
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c
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Mechanical Data  
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. 5  
. 4  
. 4  
. 0  
. 1  
. 0  
-
4
Case: SMA molded plastic over passivated chip  
Terminals: Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Weight: 0.004 ounce, 0.118 gram  
B
C
D
E
F
. 1  
. 0  
. 1  
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M
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. 1  
. 0  
1
0
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1
2
2
2
. 9  
. 7  
. 0  
3
3
5
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols  
GR1A  
GR1B  
GR1D  
GR1G  
GR1J  
GR1K  
GR1M  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Amp  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current at TL=90  
I(AV)  
Peak forward surge current  
8.3mS single half sine-wave superimposed  
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method) TL=90  
IFSM  
30.0  
1.30  
Amps  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
VF  
IR  
Volts  
A
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25  
TA=125  
5.0  
50.0  
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Trr  
CJ  
150  
250  
500  
nS  
F
10.0  
7.0  
R
R
105.0  
32.0  
JA  
Maximum thermal resistance (Note 3)  
/W  
JL  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts  
(3) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2x0.2” (5.0x5.0mm) copper pad areas  
1
12

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