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GQM2195C2E1R2BB12D

更新时间： 2024-11-25 02:48:23

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恩智浦 - NXP		/
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RF Power GaN Transistor

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Document Number: A3G26H501W17S

Rev. 2, 01/2020

NXP Semiconductors

Technical Data

RF Power GaN Transistor

This 56 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for

cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth

capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

A3G26H501W17S

This part is characterized and performance is guaranteed for applications

operating in the 2496 to 2690 MHz band. There is no guarantee of performance

when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

2496–2690 MHz, 56 W AVG., 48 V

AIRFAST RF POWER GaN

TRANSISTOR

2600 MHz



Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Characterization Performance:

_DD= 48 Vdc, I_DQA= 350 mA, V_GSB= –5.0 Vdc, P_out= 56 W Avg., Input

Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.⁽¹⁾



P3dB

(dBm)

ACPR

(dBc)

(2)

Frequency

2496 MHz

2590 MHz

2690 MHz

(dB)

14.0

14.5

14.4

(%)

46.3

45.1

47.4

56.6

–35.4

–36.6

–33.2

57.1

56.0

NI--780S--4S2S

1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.

2. Data measured at pulsed CW, 10 sec(on), 10% duty cycle.

VBW

Features

Carrier



High terminal impedances for optimal broadband performance

Advanced high performance in--package Doherty

Improved linearized error vector magnitude with next generation signal

Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating

conditions

RF /V

outA DSA

inA GSA

RF /V

inB GSB

RF /V

outB DSB

Peaking

VBW

(Top View)

Figure 1. Pin Connections

 2019–2020 NXP B.V.

A3G26H501W17S

RF Device Data

NXP Semiconductors

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