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GQM2195C2E1R5BB12D

更新时间： 2024-11-21 02:57:23
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恩智浦 - NXP 电容器
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描述
RF Power GaN Transistor

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Document Number: A3G26H501W17S  
Rev. 2, 01/2020  
NXP Semiconductors  
Technical Data  
RF Power GaN Transistor  
This 56 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for  
cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth  
capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.  
A3G26H501W17S  
This part is characterized and performance is guaranteed for applications  
operating in the 2496 to 2690 MHz band. There is no guarantee of performance  
when this part is used in applications designed outside of these frequencies.  
2496–2690 MHz, 56 W AVG., 48 V  
AIRFAST RF POWER GaN  
TRANSISTOR  
2600 MHz  
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Characterization Performance:  
DD = 48 Vdc, IDQA = 350 mA, VGSB = –5.0 Vdc, Pout = 56 W Avg., Input  
Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.(1)  
V
G
P3dB  
(dBm)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
(2)  
Frequency  
2496 MHz  
2590 MHz  
2690 MHz  
(dB)  
14.0  
14.5  
14.4  
(%)  
46.3  
45.1  
47.4  
56.6  
–35.4  
–36.6  
–33.2  
57.1  
56.0  
NI--780S--4S2S  
1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.  
2. Data measured at pulsed CW, 10 sec(on), 10% duty cycle.  
6
5
VBW  
A
Features  
Carrier  
High terminal impedances for optimal broadband performance  
Advanced high performance in--package Doherty  
Improved linearized error vector magnitude with next generation signal  
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating  
conditions  
RF /V  
1
2
RF /V  
outA DSA  
inA GSA  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
4
3
Peaking  
VBW  
B
(Top View)  
Figure 1. Pin Connections  
2019–2020 NXP B.V.  
1234567...9

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 		RF Power GaN Transistor
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