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GPP10B-E3/54

更新时间： 2024-02-07 03:01:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

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GPP10B-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.46其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

GPP10B-E3/54 数据手册

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GPP10A, GPP10B, GPP10D, GPP10G, GPP10J, GPP10K, GPP10M  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, typical IR less than 0.1 μA  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-41 (DO-204AL)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes application.  
IF(AV)  
1.0 A  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V, 1000 V  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-41 (DO-204AL), molded epoxy over passivated  
chip  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
IFSM  
IR  
30 A  
5.0 μA  
VF at IF = 1.0 A  
TJ max.  
1.1 V  
150 °C  
Package  
DO-41 (DO-204AL)  
Single  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Circuit configuration  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL GPP10A GPP10B GPP10D GPP10G GPP10J GPP10K GPP10M UNIT  
Maximum repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified  
current 0.375" (9.5 mm) lead length  
at TA = 75 °C  
IF(AV)  
1.0  
30  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
Maximum full load reverse current,  
full cycle average 0.375" (9.5 mm)  
lead length TA = 75 °C  
IR(AV)  
30  
μA  
°C  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Revision: 29-Apr-2020  
Document Number: 88641  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GPP10B-E3/73 VISHAY

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GPP10D TAYCHIPST

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GPP10D/100 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
GPP10D/4E VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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