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GN01057N

更新时间： 2024-10-29 14:50:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	165K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

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GN01057N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
最大漏极电流 (ID)：	0.053 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	80 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.2 W	最小功率增益 (Gp)：	7 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

GN01057N 数据手册

GaAs MMICs

GN01057N

GaAs N-Channel MES FET

For digital CATV front-end amplifier

unit: mm

2.8–⁺0⁰.^.3²

1.5–⁺0⁰.^.3²

■ Features

0.65±0.15

● Ultra-low distortion amplifier

● Small package: Mini 4pin

0.5R

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_DD

Ratings

Unit

−4

Power supply voltage

Circuit current

°C

0.4±0.2

1: Source

2: Drain

3: Gate

4: NC

Gate current

I_G

−1

Allowable power dissipation

Channel temperature

Operating temperature

P_D

200^*

150

T_ch

Mini Type Package (4-pin)

T_opr

−30 to +80

°C

Marking Symbol: KB

* Absolute maximum rating of P_Dis 150mW while this is mounted on the

PCB with a area of 68mm × 38mm or more and a thickness of 1.5mm.

■ Electrical Characteristics (Ta = 25 ± 3°C)

Parameter

Gate to Sourse current

Gate to Drain current

Drain current

Symbol

I_GSO

Conditions

min

−50

typ

−1

max

Unit

µA

V_GS= −6V

V_GD= −6V

V_DD= 5V

I_GDO

I_DD

−1

Drain to Source cut-off current

Gate to Source cut-off voltage

Forward transfer admittance

Second harmonics mutual

modulation distortion

Power gain

I_DSX

V_DS= 6V, V_GS= −6V

V_DS= 3V, I_DS= 400µA

4.5

−1.25

V_GSC

| Yfs |

_DS= 3V, I_DS= 40mA

V_DD= 5V, f1 = 800MHz

f2 = 399.9MHz, P_in= −10dBm

V_DD= 5V, f = 400MHz

1, 2

IM2^*

dBc

PG^*

9.1

Noise figure

NF^*

V_DD= 5V, f = 50 to 800MHz

¹Measured with mutual modulated wave distortion according to the Stone Method.

²Refer to measurement circuit.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GN01057R60FE73	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 1 %, 20 ppm, 57.6 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS C
GN0105K900FE12	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 1 %, 20 ppm, 5900 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS C
GN0105K900FE73	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 1 %, 20 ppm, 5900 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS C
GN01061R90FE12	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 1 %, 20 ppm, 61.9 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS C
GN01061R90FE73	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 1 %, 20 ppm, 61.9 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS C
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