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GMS05/G1 PDF预览

GMS05/G1

更新时间： 2024-11-15 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, SOT-23, 6 PIN

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GMS05/G1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.73
Is Samacsys：N最小击穿电压：6 V
配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
最大非重复峰值反向功率耗散：350 W元件数量：4
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

GMS05/G1 数据手册

 浏览型号GMS05/G1的Datasheet PDF文件第2页 
GMS05  
Surface Mount TVS Diode Array  
Pin Configuration  
SOT-23-6L (Top View)  
SOT-23-6L  
6
5
4
0.120 (3.05)  
0.110 (2.80)  
Top View  
0.118 (3.00)  
0.102 (2.60)  
0.070 (1.75)  
1
2
3
0.059 (1.50)  
Mounting Pad Layout  
0.094 (2.4)  
0.020 (0.50)  
0.014 (0.35)  
0.040 (1.05)  
0.033 (0.85)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.083 (2.1)  
0.067 (1.7)  
0.074 (1.9)  
Ref.  
0.037 (0.95)  
Ref.  
0.006 (0.150)  
0.0004 (0.010)  
0.008 (0.20)  
0.0035 (0.090)  
0.028 (0.7)  
0.051 (1.30)  
0.036 (0.90)  
0.039  
(1.07)  
10° Typical  
Features  
• Transient protection for data lines as per  
IEC 1000-4-2 (ESD) 15kV (air), 8kV (contact)  
IEC 1000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns)  
Mechanical Characteristics  
Case: SOT-23-6L package  
Molding Compound Flammability Rating: UL 94V-0  
Marking Code: 05  
Packaging Codes - Options:  
IEC 1000-4-5 (Lightning) 24A (tp = 8/20µs)  
• Small package for use in portable electronics  
• Protects 4 I/O lines • Low leakage current  
• Low operating and clamping voltages  
G1 - 10K per 13” reel, 30K/box  
G2 - 3K per 7” reel, 30K/box  
• High temperature guaranteed: 250°C/10 sec. at terminals  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
W
Peak Pulse Power 8/20µs waveform  
Peak Pulse Current 8/20µs waveform  
Operating Temperature  
Ppk  
350  
24  
IPP  
A
TJ  
–55 to +125  
–55 to +150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VBR  
Minimum  
Typical  
Maximum  
Unit  
V
Reverse Stand-Off Voltage  
–
6
–
–
–
–
5
–
V
Reverse Breakdown Voltage at It = 1mA  
Reverse Leakage Current at VRWM = 5V  
IR  
20  
µA  
Clamping Voltage at IPP = 5A, 8/20µs waveform  
at IPP = 24A, 8/20µs waveform  
9.8  
14.5  
VC  
VF  
Cj  
–
–
–
–
V
V
Peak Forward Voltage at IF = 1A, 8/20µs waveform  
1.5  
325  
–
Junction Capacitance between I/O pins and Gnd  
VR = 0V, f = 1MHZ  
400  
pF  
4/3/01  
12

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