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GM8550

更新时间： 2024-11-05 03:39:35

品牌	Logo	应用领域
GTM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	226K
描述
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

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GM8550 数据手册

GTM CORPORATION

Page : 1/2

GM8550

P N P E P I TA X I A L T R A N S I S T O R

Description

The GM8550 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.

Package Dimensions

SOT-89

Millimeter

Min. Max.

3.00 REF.

Min.

4.4

Max.

4.6

4.05

1.50

1.30

2.40

0.89

4.25

1.70

1.50

2.60

1.20

1.50 REF.

0.40

1.40

0.35

0.52

1.60

0.41

5q TYP.

0.70 REF.

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

-55 ~ +150

BVCBO

BVCEO

BVEBO

-40

-25

-6

-1.5

-0.5

Base Current

Total Power Dissipation

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

-40

-25

-6

IC=-100uA

IC=-2mA

BVCEO

BVEBO

ICBO

IE=-100uA

VCB=-35V

VEB=-6V

-100

-0.5

-1.2

-1

IEBO

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE(on)

hfe1

IC=-0.8A, IB=-80mA

VCE=-1V, IC=-10mA

VCE=-1V, IC=-5mA

hfe2

120

500

VCE=-1V, IC=-100mA

hfe3

VCE=-1V, IC=-800mA

100

MHz

VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz

Classification Of hFE

Rank

hFE

120 - 200

160 - 300

250 - 500

GTM Product Specification

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