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GM76V256CLFW-10/E PDF预览

GM76V256CLFW-10/E

更新时间： 2024-02-23 10:39:06
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

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GM76V256CLFW-10/E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.49
最长访问时间：100 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
长度：18.69 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.86 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：8.6 mmBase Number Matches：1

GM76V256CLFW-10/E 数据手册

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GM76V256CL/LL  
AC Operating Characteristics (VCC=3.3V + 0.3V , TA = -25 ~ 85C)  
Read Cycle  
GM76V256C-85  
GM76V256C-10  
Condi-  
tions  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min  
85  
-
Max  
-
Min  
100  
-
Max  
-
t
RC  
AA  
ACS  
OE  
OH  
CLZ  
OLZ  
CHZ  
OHZ  
Read Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Address Access Time  
85  
85  
45  
-
100  
100  
50  
-
t
Chip Select Access Time  
Output Enable Access Time  
Output Hold Time  
*1  
*2  
-
-
t
-
-
t
10  
10  
5
15  
10  
5
t
Chip Select Output Setup Time  
Output Enable Output Setup Time  
Chip Select Output Floating  
Output Enable Output Floating  
-
-
t
-
-
t
0
30  
30  
0
35  
35  
t
0
0
Write Cycle  
GM76V256C-85  
GM76V256C-10  
Condi-  
tions  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min  
85  
75  
70  
0
Max  
Min  
100  
80  
80  
0
Max  
t
WC  
CW  
AW  
AS  
WP  
WR  
DW  
DH  
WHZ  
OW  
Write Cycle Time  
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Chip Select Time  
t
Address Enable Time  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
-
-
t
-
-
*1  
*2  
t
60  
0
-
70  
0
-
t
Address Hold Time  
-
-
t
Input Data Setup Time  
Input Data Hold Time  
Write to Output in High-Z  
Output Active from End of Write  
35  
0
-
40  
0
-
t
-
-
t
0
30  
-
0
30  
-
t
5
10  
*1 Test Conditions.  
*2 Test Conditions.  
1. Input pulse level : 0.4V to 2.2V  
2. tr = tf = 5ns  
1. Input pulse level : 0.4V to 2.2V  
2. tr = tf = 5ns  
3. Input/output timing reference level : 1.5V  
4. Output load CL = 100pF + 1TTL Load  
3. Input timing reference level : 1.5V  
4. Output timing reference level :  
+/-200mV (the level displacement from  
stable output voltage level)  
5. Output load CL = 5pF + 1TTL Load  
46  
1234567...9

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