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GM76V256CLFW-10/E

更新时间： 2024-02-03 20:50:58

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
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9页	77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

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GM76V256CLFW-10/E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.69 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.86 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8.6 mm	Base Number Matches：	1

GM76V256CLFW-10/E 数据手册

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GM76V256CL/LL

Absolute Maximum Ratings ^*1

Symbol

Parameter

Rating

0 ~ 70

Unit

Ambient

Temperature

under Bias

GM76V256CL/LL

GM76V256CLE/LLE

-25 ~ 85

Storage Temperature

-65 ~ 150

260, 10 (at lead)

-0.3 ~ 4.6

TSTG

VSOL

VCC

VIN

Soldering Temperature and Time

Supply Voltage

C, S

Input Voltage

-0.3 ~ 4.6

Input and Output Voltage

Power Dissipation

-0.5 ~ VCC + 0.5

1.0

VI/O

Notes:

1. Operation at above Absolute Maximum Ratings can adversely affect device reliability.

2. -3.0V at pulse width 50ns Max.

Recommended DC Operating Conditions (TA = -25 ~ 85C)

GM76V256C

Symbol

Parameter

Unit

Min

3.0

Typ

Max

3.6

VCC

VIH

VIL

Supply Voltage

3.3

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.2

CC + 0.3

0.4

-0.3*

*Note: VIL=-3.0V Min for pulse width less than 50ns.

Truth Table

/CS

/WE

/OE

Input/Output

MODE

Not Selected

Read

Hi-Z

Output Data

Input Data

Hi-Z

Write

Output Disable

*Note: X means "don't care".

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