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GM76V256CLFW-10/E

更新时间： 2024-01-29 07:01:40

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

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技术参数
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GM76V256CLFW-10/E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.69 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.86 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8.6 mm	Base Number Matches：	1

GM76V256CLFW-10/E 数据手册

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GM76V256CL/LL

Unit: Inches (mm)

Package Dimensions

28 SOP

0.030(0.76) MIN

0.050(1.27) MAX

0 ~ 8 ^o

0.004(0.10) MIN

0.012(0.30) MAX

0.710(18.03) MIN

0.762(19.35) MAX

0.101(2.56) MIN

0.106(2.70) MAX

0.012(0.30) MIN

0.020(0.51) MAX

0.050(1.270

0.004(0.10) MIN

0.006(0.16) MAX

)

TYP

Unit: Inches (mm)

28 TSOP-I

#22

#21

#28

0.002(0.05) MIN

0.006(0.15) MAX

0.461(11.70) MIN

0.467(11.86) MAX

0.527(13.30) MIN

0.528(13.50) MAX

0.035(1.2) MIN

0.044(1.0) MAX

0.020(0.6) MIN

0.019(0.4) MAX

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