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GM76V256CLFW-10/E

更新时间: 2024-02-11 22:33:39
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海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
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9页 77K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

GM76V256CLFW-10/E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.49
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.69 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.86 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.6 mmBase Number Matches:1

GM76V256CLFW-10/E 数据手册

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GM76V256CL/LL  
Write Cycle 1 (/WE Controlled) (Note 1, 2)  
tWC  
ADD  
tCW  
/CS  
tAW  
tWR  
tAS  
tWP  
/WE  
tDW  
tDH  
DIN  
VALID DATA  
tOW  
tWHZ  
High-Z  
DOUT  
Notes:  
1. The internal write time of the memory is defined by the overlap of /CS low and /WE low. Both signals  
must be low to initiate a write and either signal can terminate a write by going high. The data input  
set-up and hold timing should be referenced to the rising edge of the signal that terminates the write.  
2. Data I/O is high impedance if /OE = VIH  
.
48  

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