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GM76U8128CLLT1-85

更新时间： 2024-01-29 23:29:47

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
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x8 SRAM

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GM76U8128CLLT1-85 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76U8128CLLT1-85 数据手册

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GM76U8128CL/CLL

Package Dimensions

Unit: Inches (mm)

32 DIP

0 ~ 15 ^o

1.645(41.78) MIN

1.665(42.29) MAX

0.045(1.14) MIN

0.055(1.40) MAX

0.008(0.200) MIN

0.015(0.380) MAX

0.15(3.81)

TYP

0.165(4.191) MIN

0.190(4.83) MAX

0.015(0.38)

0.125(3.18) MIN

0.135(3.43) MAX

0.016(0.41) MIN

0.020(0.51) MAX

0.100(2.54)

TYP

MIN

32 SOP

0.02(0.53) MIN

0.04(1.04) MAX

0 ~ 8

0.004(0.10) MIN

0.010(0.254) MAX

0.799(20.30) MIN

0.815(20.70) MAX

0.086(2.18) MIN

0.090(2.29) MAX

0.014(0.35) MIN

0.020(0.50) MAX

0.050(1.27)

TYP

0.004(0.102) MIN

0.010(0.254) MAX

118

1...7 8 91011

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