5秒后页面跳转
GM76U8128CLLTS-10 PDF预览

GM76U8128CLLTS-10

更新时间: 2024-01-30 05:19:48
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 415K
描述
x8 SRAM

GM76U8128CLLTS-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL

GM76U8128CLLTS-10 数据手册

 浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76U8128CLLTS-10的Datasheet PDF文件第7页 

与GM76U8128CLLTS-10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76U8128CLLTS-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76U8128CLP-10 HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32

获取价格

GM76U8128CLP-10E HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32

获取价格

GM76U8128CLP-10I HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32

获取价格

GM76U8128CLP-85 HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32

获取价格

GM76U8128CLP-85E HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32

获取价格