5秒后页面跳转
GM76U8128CLLT1-85 PDF预览

GM76U8128CLLT1-85

更新时间: 2024-02-21 10:48:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 104K
描述
x8 SRAM

GM76U8128CLLT1-85 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76U8128CLLT1-85 数据手册

 浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM76U8128CLLT1-85的Datasheet PDF文件第9页 
GM76U8128CL/CLL  
Write Cycle (1) (/WE Controlled) (Notes 2, 3, 4)  
t
WC  
ADD  
t
AS  
t
WR  
t
AW  
t
WP  
/WE  
t
t
CW1  
/CS1  
CS2  
CW2  
t
WHZ  
t
OW  
DOUT  
t
DW  
t
DH  
DIN  
VALID DATA  
114  

与GM76U8128CLLT1-85相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM76U8128CLLT1-85E ETC x8 SRAM

获取价格

GM76U8128CLLT1-85I HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

获取价格

GM76U8128CLLT-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76U8128CLLTS-10 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76U8128CLLTS-85 ETC x8 SRAM

获取价格

GM76U8128CLP-10 HYNIX Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32

获取价格