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GM76U256CLLE-10

更新时间: 2024-02-11 23:10:04
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 175K
描述
x8 SRAM

GM76U256CLLE-10 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:37.008 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

GM76U256CLLE-10 数据手册

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GM76U256C Series  
MARKING INFORMATION  
Package  
Marking Example  
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SOP  
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TSOP-I  
y
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K
O
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A
Index  
HYUNDAI  
KOREA  
GM76U256C  
cc  
: Hynix Logo  
: Origin Country  
: Part Name  
: Power Consumption  
- L  
- LL  
: Low Power  
: Low Low Power  
Blank / FW / T  
: Package Type  
- Blank  
- FW  
: DIP  
: SOP  
: TSOP-I  
- T  
ss  
: Speed  
- 10  
: 100ns  
: 150ns  
- 12  
t  
: Temperature  
- Blank  
- E  
: Commercial ( 0 ~ 70 °C )  
: Extended ( -25 ~ 85 °C )  
yy  
ww  
: Year ( ex : 00 = year 2000, 01 = year 2001 )  
: Work Week ( ex : 12 = ww12 )  
Note  
- Capital Letter  
: Fixed Item  
- Small Letter  
: Non-fixed Item  
Rev 02 / Apr. 2001  
10  

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