是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
长度: | 37.008 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM76U256CLLE-12 | HYNIX | x8 SRAM |
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GM76U256CLLEFW | HYNIX | 32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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GM76U256CLLEFW-10 | HYNIX | x8 SRAM |
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GM76U256CLLEFW-12 | HYNIX | x8 SRAM |
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GM76U256CLLEFW-85 | ETC | x8 SRAM |
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GM76U256CLLET | HYNIX | 32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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