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GM76C8128CLWFW-55

更新时间： 2024-01-02 19:17:52

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
x8 SRAM

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GM76C8128CLWFW-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76C8128CLWFW-55 数据手册

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GM76C8128CL/CLL-W

Data Retention Characteristics

Symbol

Parameter

Min Typ Max Unit

2.0

5.5

VCCR

Data Retention Supply Voltage

0.5

15*

L - Version

LL - Version

Data Retention

Current

ICCR

VCC=3.0V

tCDR

Chip Select to Data Retention Time

Operation Recovery Time

tRC**

* 3uA max at T

= 0 ~ 40C

** tRC = Read Cycle

* Low VCC Data Retention Mode: (1) /CS1 Controlled

Data Retention Mode

CDR

VCC

4.5V

2.2V

VCCR1

/CS1>= VCCR - 0.2V

/CS1

* Low VCC Data Retention Mode: (2) CS2 Controlled

Data Retention Mode

CDR

VCC

4.5V

CS2

VCCR2

0.4V

CS2 <= 0.2V

Notes: In Data Retention Mode, CS2 controls the Address, /WE, /CS1, /OE and DIN buffer. If CS2 controls

data retention mode, VIN for these inputs can be in the high impedance state. If /CS1 controls the

data retention mode, CS2 must satisfy either CS2 VCCR - 0.2V or CS2<=0.2V. The other input levels

(Address, /WE, /OE, I/O) can be in the high impedance state.

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