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GM76C8128CLWFW-55

更新时间: 2024-01-05 13:30:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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13页 111K
描述
x8 SRAM

GM76C8128CLWFW-55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM76C8128CLWFW-55 数据手册

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GM76C8128CL/CLL-W  
Write Cycle (3) (CS2 Controlled) (Notes 4)  
t
WC  
ADD  
t
AS  
t
WR  
t
WP  
/WE  
t
t
CW2  
CS2  
CW1  
/CS1  
t
WHZ  
t
CLZ  
DOUT  
t
DW  
t
DH  
DIN  
VALID DATA  
Notes:  
1. /WE is High for Read Cycle.  
2. Assuming that /CS1 Low transition or CS2 High transition occurs coincident with or after /WE Low  
transition. Outputs remain in a high impedance state.  
3. Assuming that /CS1 High transition or CS2 Low transition occurs coincident with or prior to /WE High  
transition. Outputs remain in a high impedance state.  
4. Assuming that /OE is high for write cycle. Outputs are in a high impedance state during this period.  
130  

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