Datasheet > GM76C8128CLWFW-55

GM76C8128CLWFW-55

更新时间： 2024-02-21 01:43:06

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	111K
描述
x8 SRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GM76C8128CLWFW-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76C8128CLWFW-55 数据手册

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第7页

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第8页

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第9页

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第10页

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第11页

浏览型号GM76C8128CLWFW-55的Datasheet PDF文件第12页

GM76C8128CL/CLL-W

32 TSOP I (8x20mm)

/OE

A10

/CS1

I/O7

A11

A13

/WE

CS2

A15

VCC

N.C

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

I/O0

A16

A14

A12

0.720(18.30) MIN

0.728(18.50) MAX

0.006(0.15) MIN

0.000(0.00) MAX

0.780(19.80) MIN

0.795(20.20) MAX

0.039(1.0) MIN

0.047(1.2) MAX

0.016(0.40) MIN

0.024(0.60) MAX

133

1...10 11 1213

下载PDF

与GM76C8128CLWFW-55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76C8128CLWFW-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76C8128CLWT-55	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76C8128CLWT-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76C88	ETC	8,192 X 8 BIT STATIC RAM	获取价格
GM76C88-10	ETC	8,192 X 8 BIT STATIC RAM	获取价格
GM76C88-70	ETC	8,192 X 8 BIT STATIC RAM	获取价格