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GM71VS65803CLT-6

更新时间： 2024-02-09 21:48:17
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 121K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71VS65803CLT-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP32,.46
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.81访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.135 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GM71VS65803CLT-6 数据手册

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G M 71V 65803C  
G M 71V S65803CL  
Capacitance (VCC = 3.3V+/ -10%, TA = 25C)  
Symbol  
CI1  
Parameter  
Typ  
M ax  
Unit  
pF  
N ote  
1
-
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-in,Data-Out)  
5
7
7
CI2  
-
-
pF  
1
CI/ O  
pF  
1, 2  
N ote: 1. Capacitance m easured with Boonton M eter or effective capacitance m easuring method.  
2. RA S, CAS = VI H to disable DOUT.  
AC Characteristics (VCC = 3.3V+/ -10%, TA = 0 ~ 70C, N otes 1, 2,19)  
T est Conditions  
Input rise and fall times : 2ns  
Input level : VIL/ VI H = 0.0/ 3.0V  
Output timing reference levels : VOL/ V O H = 0.8/ 2.0V  
Output load : 1 TTL gate+CL (100pF)  
Input timing reference levels : VIL/ VI H = 0.8/ 2.0V  
(Including scope and jig)  
Read, W rite, Read-M odify-W rite and Refresh Cycles (Com m on Param eters)  
G M 71V (S)65803C/CL-5 G M 71V (S)65803C/CL-6  
Symbol  
Parameter  
N ote  
s
Unit  
M i  
M i  
M ax  
M ax  
n
n
104  
84  
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
t
RC  
RP  
Random Read or Write Cycle Time  
RA S Precharge Time  
30  
40  
-
-
8
-
10  
60  
10  
-
CAS Precharge Time  
t
CP  
50  
10000  
10000  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
RA S  
RA S Pulse Width  
10000  
8
0
10000  
-
C A S  
A SR  
RA H  
A SC  
C A H  
RCD  
RA D  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
CAS Pulse Width  
0
10  
0
-
-
Row Address Set-up Time  
Row Address H old Time  
Column Address Set-up Time  
Column Address H old Time  
RA S to CA S D elay Time  
RA S to Column Address Delay Time  
RA S H old Time  
8
-
-
-
0
-
10  
8
-
ns  
ns  
3
4
14  
12  
15  
12  
10  
13  
35  
5
37  
25  
-
45  
30  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
40  
5
-
-
-
CAS H old Time  
-
CAS to RA S Precharge Time  
OE to DI N Delay Time  
OE Delay Time from DI N  
CAS D elay Time from DI N  
15  
13  
0
-
-
ns  
ns  
ns  
5
6
0
0
-
-
-
-
0
6
7
50  
t
T
TransitionTime (Rise and Fall)  
Refresh Period  
2
-
2
-
50  
64  
ns  
m s  
m s  
4096  
cycles  
4096  
t
REF  
64  
-
-
Refresh Period ( L-Version )  
128  
128  
cycles  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...11

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与GM71VS65803CLT-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GM71VS65803CT-5 HYNIX EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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GM7221 ETC 视频编码器

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